Caractéristiques

Type Flash NAND

TLC (Triple Level Cell)

Algorithme de sécurité soutenu

256-bit AES

Facteur de forme SSD

2.5"

Capacité du Solid State Drive (SSD)

1000 Go

Interface

Série ATA III

Type de mémoire

3D TLC

NVMe

Non

composant pour

Ordinateur portable

Le chiffrement matériel

Non

Taux de transfert des données

6 Gbit/s

Vitesse de lecture

550 Mo/s

Vitesse d'écriture

490 Mo/s

Lecture aléatoire (4KB)

98000 IOPS

Écriture aléatoire (4KB)

90000 IOPS

Type de contrôleur

Samsung MGX

Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)

Oui

Support S.M.A.R.T.

Oui

Support TRIM

Oui

Échange à chaud

Non

IEEE 1667

Oui

Temps moyen entre pannes

1500000 h

Collecte des déchets active

Oui

Prise en charge du système d'exploitation Windows

Oui

Opal SSC 2.0

Oui

Prise en charge du système d'exploitation Linux

Oui

Produits compatibles

Dell Notebook

Puissance

Consommation (max)

4,4 W

Consommation d'énergie (moyenne)

2,7 W

Consommation électrique (idle)

0,05 W

Conditions environnementales

Température d'opération

0 - 70 °C

Température hors fonctionnement

-40 - 85 °C

Humidité relative de fonctionnement (H-H)

5 - 95%

Vibrations hors fonctionnement

20 G

Choc durant le fonctionnement

1500 G

Choc hors fonctionnement

1500 G

Détails techniques

Certificats de durabilité

RoHS

Poids et dimensions

Largeur

69,8 mm

Profondeur

100,5 mm

Hauteur

7 mm

Informations sur l'emballage

Adaptateur de lecteur de stockage inclus

Oui

Autres caractéristiques

Interne

Oui

Type de mémoire interne

TLC